Az elektrokémiai migráció vizsgálata különböző mikroáramköri hordozók esetén

OData támogatás
Konzulens:
Dr. Medgyes Bálint Károly
Elektronikai Technológia Tanszék

A mikroelektronikában tapasztalható miniatürizálás folyamata egyre nagyobb valószínűséget jelent a felületi hibajelenségek kialakulására, melyek olykor veszélyesek lehetnek. Ilyen hibajelenségnek számít az elektrokémiai migráció (röviden migráció). Ha normál működési körülmények között nedvesség jön létre a vezető pályák között, az migráció könnyen súlyos meghibásodást okozhat. Vékony vízréteg (elektrolit) és néhány Volt feszültség fennállásakor az anódból ionos oldódás útján fém ionok keletkeznek, melyek a potenciál különbség hatására a katódhoz vándorolnak (migrálnak), majd ott fémes kiválás történik, ami tű vagy fa alakú vezető szálak (dendritek) formálódását eredményezi. Ez az elektromos áramkörökben rövidzárokat idéznek elő, melyek katasztrofális hibákhoz vezethetnek. A "nedves" elektrokémiai migráció folyamatát sok tényező befolyásolja, mint például a szennyeződések és a potenciál gradiens nagysága, bár kevés információ van a hordozó alapanyagának és különböző technológiák migrációra gyakorolt hatásáról.

Ennek következtében az elektrokémiai migráció viselkedését különböző mikroáramköri hordozók esetén laboratóriumi és klimatikus körülmények között vizsgáltuk meg. A migrációs hajlamot vízcsepp teszttel és klíma kamrában végzett hőmérséklet-páratartalom tesztekkel szimuláltuk. Továbbá a hordozók nedvesítési tulajdonságait is vizsgáltuk különböző mérési módszerek segítségével. A főcél az volt, hogy kiderítsük milyen hatással van a páralecsapódás a meghibásodásig eltelt időre (MTTF), a különböző technológiával készült hordozók függvényében. Az eredményekből felállítható egy rangsor, ami hozzájárul az anyagválasztás megkönnyítéséhez az iparban a migrációs hibajelenségek szempontjából.

Letölthető fájlok

A témához tartozó fájlokat csak bejelentkezett felhasználók tölthetik le.