Félvezető kapcsoló áramkörök tranziens vizsgálata változó terhelés mellett

OData támogatás
Konzulens:
Dr. Ress Sándor László
Elektronikus Eszközök Tanszéke

Elektromos eszközeink szinte kivétel nélkül tartalmaznak félvezető kapcsolókat, legyenek ezek térvezérlésű tranzisztorok, bipoláris tranzisztorok, vagy pedig IGBT eszközök. Fontos, hogy ismerjük ezeknek az eszközöknek a tulajdonságait és kapcsolási karakterisztikáit, mely alapján eldönthető mely alkalmazásban mely eszközt érdemes használni. Ezen áramköri építőelemeken belül is érdemes különös figyelmet szentelni a térvezérlésű tranzisztoroknak, mert ezek az eszközök nagyon kevés energia felhasználásával vezérelhetők, a kapcsolási idejük pedig gyors bipoláris társaikéhoz képest. Ezen okokból kifolyólag, illetve figyelembe véve azon tulajdonságukat, hogy nagyon alacsony vezetési ellenállások érhetőek el, ezekkel az eszközökkel gyors és nagy hatásfokú kapcsolásokat tudunk végrehajtani, melyre nyilvánvalóan minden alkalmazásban különös figyelmet kell fordítanunk.

A fentebbi okokból kifolyólag, írtam egy átfogó elméleti áttekintést a MOSFET eszközökről, melyek tartalmazzák az elméleti kapcsolási hullámformákat is, illetve érintettem az IGBT eszközök működését is, mivel ezek tartalmazzák a MOSFET-ek bizonyos jó tulajdonságait.

Ezt követően szimulációkat végeztem tisztán rezisztív, rezisztív és induktív, valamint rezisztív és kapacitív terheléseken, végül pedig ezeket a szimulációkat mérésekkel is igazoltam. A mérések alapján következtetéseket vontam le, hogy egyes alkalmazási területeken mire kell figyelni, hogy megvédjük eszközünket a meghibásodástól.

Letölthető fájlok

A témához tartozó fájlokat csak bejelentkezett felhasználók tölthetik le.