Fém-félvezető átalakulás vizsgálata fém-oxid rétegszerkezeteken

OData támogatás
Konzulens:
Dr. Mizsei János
Elektronikus Eszközök Tanszéke

Szakdolgozatomban ismertetem a fém-félvezető átalakulás (SMT) alapjait, jelentőségét és a vanádium-dioxid vékonyrétegek ezzel kapcsolatos tulajdonságait. Az anyagok fém-félvezető átalakulása lehetővé teszi, hogy az eddigi konvencionális CMOS alapú rendszereket kibővítsük, vagy helyettesítsük a fenti elven működő termikus-elektromos logikai áramkörökkel (TELC). A CMOS rendszerek méretcsökkentése a fizikai határaihoz közeledik, azonban a TELC alkalmazásokkal a méretcsökkenés fenntarthatóvá válik, mivel a TELC rendszerek egyszerűbb felépítésük miatt a korábbi rendszereknél kisebb méretben is előállíthatóak. Munkám során bemutatom az általam gyártott próbatesteket és eszközöket, az ellenállás-hőmérséklet függés vizsgálatára alkalmas mérési módszereket. Ismertetem a szilícium hordozóra létrehozott vanádium-dioxid alapú TELC eszközök gyártási technológiáját és ezt bemutatom az általam készített mintákon. Felvázolom az ezeken végzett ellenállás-hőmérséklet függésen alapuló mérések eredményeit, a létrehozott eszköz kapuszerű működését és annak tranziens vizsgálatát, illetve ezek alapján következtetéseket vonok le.

Letölthető fájlok

A témához tartozó fájlokat csak bejelentkezett felhasználók tölthetik le.