Mangán tartalmú ólommentes forrasz ötvözetek elektrokémia migrációs vizsgálata különböző NaCl oldatokban

OData támogatás
Konzulens:
Dr. Medgyes Bálint Károly
Elektronikai Technológia Tanszék

Ha az áramkörök normál működési körülményei között egy vékony vízréteg csapódik le, vagy víz szivárog a rendszerbe, az elektrokémiai migráció jelensége könnyen súlyos meghibásodást okozhat. Az elektrokémiai migráció jelensége és klasszikus modellje régóta ismert, de a jelenséggel szembeni védekezés egyre nagyobb hangsúlyt kell hogy kapjon az elektronikában tapasztalható miniatürizálás miatt.

A bizonyos körülmények között az anódból kioldódott fémionok a katód felé mozognak, s ott dendriteket formálnak. A dendritek rövidzárat okozhatnak az anód és a katód között. Ezt az elektrokémiai migrációs folyamatot igen sok tényező befolyásolja, mint például a szennyeződések vagy a potenciál gradiens nagysága.

Ebben a tanulmányban megvizsgáltuk hét féle ólommentes forraszanyag (Sn96.5Ag3Cu0.5, Sn98.9Ag0.3Cu0.7Mn0.1, Sn98.6Ag0.3Cu0.7Mn0.4, Sn97.6Ag0.3Cu0.7Mn0.4Bi1, Sn97.9Ag0.3Cu0.7Mn0.1Bi1, Sn98.3Ag0.3Cu0.7Mn0.7 és Sn97.3Ag0.3Cu0.7Mn0.7Bi1) elektrokémiai migrációra való hajlamát vízcsepp tesztek segítségével, amelyekben NaCl oldatot használtunk, mert ez igen gyakori szennyező anyag, amivel az elektronikus áramkörök kapcsolatba kerülhetnek. A vizsgálódás során három különböző koncentrációjú NaCl oldatot használtunk (1 mM, 10 mM, 500 mM). Az elektrokémiai migrációs hajlamuk alapján az alkalmazott forraszanyagokat rangsorolni tudtuk a különböző oldatok esetén jelentkező hibaidők segítségével. Ezen vizsgálatok és az alkalmazott forraszok elektrokémiai migrációs hajlamának sorrendjét a felhasznált oldatok esetén ebben a dokumentumban mutatom be.

Letölthető fájlok

A témához tartozó fájlokat csak bejelentkezett felhasználók tölthetik le.