Szilícium-karbid felületek és rajtuk kialakított rétegszerkezetek elektromos minősítése

OData támogatás
Konzulens:
Dr. Mizsei János
Elektronikus Eszközök Tanszéke

A gyártástechnológia fejlődése szükségszerűen magával hozza, hogy a méréstechnikának is fejlődnie kell, különben az új eszközök karakterizációja, ill. a későbbi sorozatgyártás felügyelete nem lenne biztosított. A Semilab Zrt. egyre több különböző érintéses és érintésmentes mérési módszert kínál a különböző félvezető struktúrákat jellemző paraméterek mérésére.

Manapság egyre több egykristályos szilíciumtól eltérő félvezető anyagot használnak, főleg, ha valamilyen speciális alkalmazási területre gyártanak elektronikus eszközöket. Ilyenek pl. a gyorsan fejlődő kijelző ipar számára a vegyületfélvezetők, főleg a gallium-nitrid (GaN) és a teljesítményeszközök számára a szilícium-karbid (SiC). A SiC méréstechnika közel sem annyira kiforrott és ismert, mint a szilíciumé. Ezért is kezdtem el azzal foglalkozni, hogy a jelenlegi méréstechnikák alkalmazhatóságát vizsgáljam szilícium-karbidon. A diplomamunkám során a két önálló laboratórium során szerzett ismereteimre alapozva szeretnék javaslatokat tenni az egyes eljárások alkalmazhatóságára, alkalmassá tételére.

A dolgozat a CV és VQ technikák alkalmazhatósági kérdéseit vizsgálja. A dolgozatban ismertetett mérési tapasztalatok alapján optimális módszerek kifejlesztésére nyílna lehetőség a félvezető eszközök gyártástechnológiájában, különösen a teljesítmény-félvezető eszközök esetében.

Letölthető fájlok

A témához tartozó fájlokat csak bejelentkezett felhasználók tölthetik le.