Szivárgó áram mérése integrált Gate-Source ellenállással rendelkező MOSFET-en

OData támogatás
Konzulens:
Dr. Dülk Ivor
Méréstechnika és Információs Rendszerek Tanszék

A feladatom a Robert Bosch Elektronika kft. hatvani üzemében az egyik ICT teszteléstechnikai lépés során előforduló hiba felderítése és kijavítása volt. A probléma MOSFET teljesítménymodulok szivárgó áram mérése során fordult elő, a mérőberendezés és a termék közötti vezetékek parazita hatásai miatt. A kellő információ összegyűjtése után elméleti számításokkal tártam föl a probléma okát, majd javaslatot tettem annak javítására. A mérőberendezéshez szükség volt egy kiegészítő áramkörre, melynek feladata a tranzisztor integrált ellenállásai által okozott méréstechnikai probléma kiküszöbölése volt. Az előzőekben alkalmazott megoldás átvizsgálása során föltárt hibák, valamint az elméleti számítások segítségével új áramkört terveztem, valamint javasoltam egyes vezetékek lecserélését. A labor körülmények közötti mérések megkönnyítése érdekében kézi kontaktáló berendezést építettem, melynek segítségével tesztelhettem az általam tervezett új áramkört, valamint a kábelezés hatásait a szivárgó áram mérésre. Több megoldást kielemezve feltártam a hiba fő forrását, majd ezek alapján véghezvittem a gyártósori berendezések átalakítását.

Letölthető fájlok

A témához tartozó fájlokat csak bejelentkezett felhasználók tölthetik le.