TFET eszközök karakterisztikájának vizsgálata különböző dielektromos állandójú anyagok használata esetén

OData támogatás
Konzulens:
Dr. Kiss Bálint
Irányítástechnika és Informatika Tanszék

Jelenleg a félvezető ipar által gyártott különféle termékek elsősorban a szilíciumon bázisú ún. MOSFET meghajtású félvezető technológiára épülnek. Számos fejlesztés koncentrál a MOSFET gate elektródája geometriájának további miniatürizálására, ezzel a működése sebesség és teljesítmény növelésére. Ugyanakkor a MOSFET esetében a miniatürizálásnak, például a rövid csatorna jelenség miatt fizikai korlátai vannak, így olyan újabb elveken működő félvezető eszközök kifejlesztésére van szükség, mint a TFET (tunneling field effect transistor).

A TFET eszközök a várakozások szerint nagyon alacsony (1V vagy kisebb) vezérlő feszültség mellett is képesek működni. Következésképpen a TFET-ek használatával nagyobb teljesítményű, gyorsabb, ugyanakkor alacsonyabb fogyasztású eszközök gyárthatók. Jelen szakdolgozat ezért ilyen meghajtók kialakításával foglalkozik. A hagyományos TFET eszközöknél általában szilikonoxidokat használnak gate dielektrikumként, ugyanakkor megvizsgálandó, hogy az ehhez képest nagyobb vagy kisebb k-jú tranzisztorokkal elérhető-e jobb teljesítmény.

A kapott karakterisztikákat egy munkaállomás segítségével határoztam meg, ahol a szimulátor program telepítése nyomán meg kellett határozni a dielektrikum anyagtulajdonságait, majd el kellett végezni a szimulációt és értékelni az eredményeket. Ezt a munkát egy csapat végezte, én az adatgyűjtésben, a szimuláció futtatásában és más műveletekben jutottam szerephez.

Letölthető fájlok

A témához tartozó fájlokat csak bejelentkezett felhasználók tölthetik le.