Vanádium-dioxid tesztstruktúra készítése és minősítése I-V (Q-V) méréssel

OData támogatás
Konzulens:
Dr. Mizsei János
Elektronikus Eszközök Tanszéke

A szakdolgozatomban egy egyszerű MOS és egy vanádium-dioxidos MOS szerkezet minősítését végeztem el kvázisztatikus I-V (áram-feszültség) mérések segítségével a 30-95°C hőmérséklet tartományban. Vizsgáltam a vanádium-dioxid (képlete: VO2) félvezető-fém fázisátalakulásának esetleges hatását a kvázisztatikus I-V görbe alakjára, és becsült korlátot adtam a vanádium-dioxid kilépési munkájának esetleges megváltozására. A vanádium-dioxidot azért vizsgáltam, mert alkalmazásával termikus-elektromos logikai áramkörök (TELC – Thermal-Electronic Logic Circuits) készíthetőek. Ennek az a jelentősége, hogy TELC eszközök használatával meg lehet kísérelni nagy integráltságú áramkörök létrehozását a szilícium hordozó felületén, a technológia további méretcsökkentése nélkül.

Mindezek bemutatása előtt ismertetem, a MOS rétegszerkezet minősítését, és a félvezetőipar napjainkban is széles körben alkalmazott C-V (kapacitás-feszültség) méréstechnikáit, különös tekintettel a kvázisztatikus I-V (C-V) mérésre. Ezután összefoglalom a vanádium-dioxid legfontosabb tulajdonságait, majd ismertetem a mintakészítés lépéseit. Ezek ismeretében mutatom be, az egyszerű MOS és vanádium dioxidos MOS struktúrán végzett különböző mérések eredményeit.

Letölthető fájlok

A témához tartozó fájlokat csak bejelentkezett felhasználók tölthetik le.