Vanádium-dioxid vékonyrétegek előállítása és vizsgálata

OData támogatás
Konzulens:
Dr. Mizsei János
Elektronikus Eszközök Tanszéke

Az elektronika fejlődését Moore törvénye hajtja előre. A folyamatos méret csökkentések következtében a jelenleg nanoméretű CMOS eszközök közelednek működőképességük határaihoz, melyeket az elkerülhetetlen fizikai effektusok határoznak meg. Ha ez bekövetkezik, új elveken működő eszközökre lesz szükség a további méret csökkentés érdekében. Erre lehet megoldás, olyan elektro-termikus eszköz (TELC - Thermal-Electronic Logic Circuit) kifejlesztése, mely egy hőmérséklet változásaira érzékeny anyag fizikai tulajdonságának változásain alapszik.

A vanádium-dioxid fém-félvezető átmenettel rendelkezik: 68°C-os hőmérsékleten félvezető fázisból fémes fázisúvá alakul át, mely mind a vezetőképességének, mind optikai tulajdonságainak megváltozásával jár. A jelenlegi technológiákhoz való integrálhatóságának érdekében szükséges a vanádium-dioxid vékonyrétegek előállításának és tulajdonságainak vizsgálata.

Munkám során a BME Elektronikus Eszközök Tanszékén RC reaktív katódporlasztással, továbbá az Oului Egyetemen impulzuslézeres ablációval állítottam elő vanádium-dioxid vékonyrétegeket különböző paraméterekkel, illetve különböző rétegszerkezetekkel, majd ezen minták tulajdonságait vizsgáltam az ellenállás-hőmérséklet és áram-feszültség karakterisztikák alapján.

Letölthető fájlok

A témához tartozó fájlokat csak bejelentkezett felhasználók tölthetik le.